详情

扫描隧道显微镜/NAP-STM技术指标

来源:明通甄选2026/6/11 15:55:4017
导读:
 扫描隧道显微镜/NAP-STM(Scanning Tunneling Microscope, STM)是一种基于量子隧穿效应的高分辨率表面分析仪器,能够在原子尺度上直接观测导电材料的表面形貌。

扫描隧道显微镜/NAP-STM技术指标:

1.腔体结构

1.1配置不锈钢STM分析腔,配备离子泵、机械泵、真空规等泵抽系统,背景真空优于1*10-9mbar

1.2配备不锈钢快速进样室,配备泵抽系统,背景真空优于5*10-8mbar

2.近常压变温扫描头

2.1最大扫描范围不小于1.0μmx1.0μm(T>350K)

2.2X/Y方向的补偿范围:≥±750nm;Z方向为±115nm

2.3气压工作范围,不小于UHV-100mbar

2.4温度控制范围:UHV条件下,不小于220K-700K,10mbar压力下,不小于RT-500K

2.5低温下(150K< T)

2.6扫描头机械稳定性(针尖固定位置不动,在恒压恒流模式下,Z中噪音的峰峰值):<5pm

2.7配备近常压进气气路

2.8配置温度控制单元和样品转移机械手

3.STM控制器

3.1匹配前放增益1V/nA

3.2隧穿电流范围:不小于0.01nA–50nA

3.3具有快速扫描功能,数据获取速度:不低于1000000像素/秒

3.4配备配套软件和数据处理系统一套

4.针尖刻蚀离子源

4.1用于针尖原位处理,离子能量范围最大:不小于5keV

4.2离子束流(Ar气)最大值:≥20μA

版权与免责声明:凡本网注明“来源:全球工厂网”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-全球工厂网合法拥有版权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:全球工厂网”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。 本网转载并注明自其它来源(非全球工厂网)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

展开全部